看看我們周圍，看看：利用控制可控硅

在電子元器件中，采用單向晶閘管或雙向晶閘管作為開關用于中國家電，調壓裝置的實現開發非常簡單方便，不僅學生如此，還能有效控制直流，交流學習電路的負載功率。可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。整流橋模塊將整流管封在一個殼內了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個半橋可組成一個橋式整流電路，一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。三相固態繼電器輸入信號與TTL和COMS數字邏輯電路兼容。 在這里，小編和大家談談SCR在現實生活中的應用范圍

1、觸發電路的問題

如果要觸發可控硅導通，我們中國必須有一個正確的極性以及外界進行足夠的幅度和脈沖可以觸發，觸發學生必須有系統電路和晶閘管陰極保護之間的公共參考點。一些工作電路結構表面的，觸發脈沖被施加到晶閘管觸發電極G，但所述事件觸發數據信號和所述晶閘管的陰極，但沒有實現共同的參考點，未在可控硅之間通過施加觸發G-k中的信號，可控硅不能被觸發。

2、電感負載的應用

可控硅可用于控制感性負載的存在，如電風扇、交流接觸器、變壓器供電系統設備等，但不同。 由于我們的移相觸發電路，可控硅在半周的連續開發周期內接通，半周的過零周期是公司的結束。 當晶閘管接通時，加在電感負載兩端的輸出電壓是交流電流的瞬時值，有時可能是由于交流電流的大值引起的。 根據實際電感的特點，兩端的電壓技術不能突然改變。 當高電壓施加到電感上時，會產生與施加電壓相反的反向自感電勢。 施加電壓的上升趨勢曲線越高，自感應電位越高，有時甚至超過其它功率模塊的電壓，導致擊穿可控硅。 因此，晶閘管控制采用電感負載，首先，其電壓高于傳統電源設計電壓峰值的1.5倍以上。 另外，rc 峰值吸收利用電路應該在兩個晶閘管電極之間并聯。 研究電阻和0.1ー0.47 uf / 600v 的非極性電容通常為10ー30 / 3w。

在交流系統功率進行調節控制電路中，在交流零點期間，晶閘管被關閉。 理論上，電流發生變化發展條件為零，沒有一個感應輸出電壓。 加入RC尖峰抑制電子電路，抑制可控硅傳導作用過程中的自感應勢尖峰。 如果我們不加處理電路，不僅可控硅容易出現擊穿，負載電路的電感線圈也會產生匝間或電機繞組擊穿，這一點也是不容忽視。

這是SCR的應用程序，你已經學會了嗎？

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