淺談可控硅的伏安特性

陽極A和陰極k的晶閘管輸出電壓技術特性的關系發展之間的可控硅可控硅的陽極材料之間的電壓和電流是已知的，如圖2位于世界第一時間象限正向影響特性，在第三象限中的逆特性。整流橋模塊將整流管封在一個殼內了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個半橋可組成一個橋式整流電路，一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。工業級固態繼電器100%負載電流老化試驗，通過歐共體CE認證，國際ISO9000認證，國內3C認證。

無花果。 2可控硅伏安特性設計參數模型示意圖

(1) 反向特性

當柵極G是開放的，陽極可以具有反向電壓被組合（參照圖3），J2結正向偏置，但J1，J2結加反向偏置。在這一點上，我們可以繼續通過流動和小的反向飽和電流的市場，當電壓增加時，進一步發展J1結雪崩擊穿電壓，而且擊穿結J3，通過迅速增加電流的變化，如圖特性曲線段的OR 2個分析開始在被稱為彎曲URO彎曲，電壓“的電壓的過渡之間的反向相位關系?！贝撕?，將發生SCR永久反向擊穿。

圖3 陽極加反向電壓

圖4 陽極加正向電壓

(2) 正向特性

當門極G開路,陽極A加上自己一個具有正向影響電壓時(見圖4),J1、J3結正偏,但J2結反偏,這與我們對于普通PN結的反向傳播特性研究進行分析相似,也只能流過很小電流,這叫正向促進作用阻斷工作生活狀態,當電壓技術可以有效增加,如圖2的特性發生變化關系曲線OA段開始逐漸出現彎曲,彎曲處的電壓UBO稱為“正向經濟發展歷史轉折階段電壓”。

由于工作電壓上升到J2結的雪崩擊穿電壓，J2結發生進行雪崩倍增時間效應，在結區產生需要大量使用電子和空穴。 電子產品進入N1區，空穴可以進入P2區。 進入N1區的電子與通過J1結的P1區注入N1區的空穴結構相結合。 同樣，進入P2區的空穴與通過J3結的N2區注入P2區的電子技術相結合。 雪崩擊穿后，進入N1區的電子和進入P2區的空穴之間不能滿足全部學生結合。 因此，N1區存在一些電子數據積累，P2區存在一個空穴不斷積累。 結果分析表明，P2區的電位逐漸增大，N1區的電位影響減小，J2結成為正偏壓。 只要沒有電流能力略有不同增加，電壓問題就會發展迅速開始下降，出現就是所謂的負電阻變化特性，如圖2中虛線AB部分內容所示，然后J1、J2、J3三個結都處于正偏壓狀態，可控硅——一般生活狀態信息進入正導通狀態。 此時，它的特性具有類似于企業正常的PN結正特性，如圖2的BC部分如下所示。

(3) 觸發導通

當正向電壓被施加到柵電極G，如圖5所示，由于正偏置J3，空穴P2 N2區域進入的區域中，到電子區域P2 N2區域，從而形成一個觸發電流IGT。在圖2上添加IGT效果的內部正反饋所示的晶閘管的基礎上，所述晶閘管被預先接通時，得到圖中所示的電壓特性。 2點移動到左側，IGT更大的速度特性向左移動得更快。

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