晶閘管模塊五個主要參數

體積小、重量輕、可靠性高、價格低……這是我們因為隨著人們對可控硅控制管理模塊的定義。整流橋模塊將整流管封在一個殼內了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個半橋可組成一個橋式整流電路，一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。三相固態繼電器輸入信號與TTL和COMS數字邏輯電路兼容。可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件?？煽毓枘K設計可以通過憑借著上述的優點，一經誕生就已經受到了影響中國社會廣大中小企業對于電力系統發展半導體生產廠家的熱捧，可謂是供不應求。

SCR模塊設計可被統稱為功率半導體模塊的顯示器。這是通過由PN結重要的三個四層結構的功率半導體電子裝置。

今天，小編就和我們大家可以說說晶閘管模塊的五個主要技術參數：

1額定狀態IT的平均工作電流在一定的經濟條件下，在陽極和陰極之間通過50Hz連續通過，可以找到正弦半波電流的平均值。

2當正阻斷峰值電壓(vpf)不被控制電極的開路觸發，且正極電壓不超過導通電壓時，正阻斷峰值電壓可在晶閘管兩端重復出現。 晶閘管模塊的正向電壓峰值不能超過手冊中給出的參數值。

3 VPR反向阻斷峰值電壓時，晶閘管處于反向截止狀態，可以在整個晶閘管模塊被反復施加峰值反向電壓。在使用時，不要超過手冊中給出的參數。

4 IG1柵極觸發工作電流，在規定的環境進行溫度下的電壓VGT，所施加的陽極陰極---某些事件觸發信號電壓技術之間，所述晶閘管被從OFF狀態可以變為ON狀態發展所需的最小柵極驅動電流和電壓。

5工作以保持在預定的電流IH，門電路的溫度，以維持最小的陽極產生晶閘管導模塊上會影響當前轉發必需的。許多公司都來新晶閘管，SCR作為適合于高頻數據的快速應用程序可以被用于觸發在兩個方向上的正或負的信號控制管理系統雙向可控硅傳導可以具有n個輸入信號被觸發可能使其導通，負觸發時間信號處理等，以使晶閘管關斷

以上是小之類的相關控制晶閘管輸出模塊的參數給學生大家，希望對大家的幫助。

信息文章：雙向受控SCR的特點及應用