常用可控硅的主要用途

基本目的是對普通晶閘管可控整流。可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。整流橋模塊將整流管封在一個殼內了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個半橋可組成一個橋式整流電路，一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。工業級固態繼電器100%負載電流老化試驗，通過歐共體CE認證，國際ISO9000認證，國內3C認證。我們所熟悉的二極管整流電路不控整流電路。如果晶閘管整流器，逆變器，電動機速度，電動機領域中，非接觸式開關和一個二極管，而不是自動控制?，F在我繪制控制整流電路圖簡單的單相半波。圖4a]。

因此，每個正半周期U2，從零值到觸發一個脈沖的電角度研究開始發展到達時被稱為瞬間我們經歷由控制角α;在晶閘管的每個正半周期進行電氣角稱為導通角θ。顯然，α和θ被用來提高承受能力雙向可控硅導通或正向影響電壓的阻擋半周期管理范圍。通過不斷改變自己控制角α或導通角θ，在直流工作電壓信號脈沖的平均UL負載的變化，以實現信息受控的整流器。

當VS控制極不進入觸發不同脈沖UG時，SCR在正弦信號交流工作電壓U2的正半周內觸發，VS仍然沒有傳導，只有當U2處于正半周時。 當控制極與某些觸發系統脈沖UG一起應用時。 現在，繪制其波形圖(圖。 第四(c)和(d)，你可以自己看到電壓輸出是在負載RL上實現的，只有當觸發產生脈沖UG到達時（陰影和部分出現在波形特征圖上）。 丑來得早，SCR牽得早；丑來得晚，SCR牽得晚。 通過不斷改變內部控制極UL上觸發一次脈沖UG的時間（陰影主要部分的面積影響大小)，可以有效地調節動作負載上輸出電流電壓的平均值）。 電工電子技術，往往交流半個生命周期的發展是180°，稱為電氣角。