如何可控硅模塊的參數

晶閘管控制模塊又稱晶閘管模塊，是硅整流系統中的主要設備?？煽毓枘K通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。整流橋模塊將整流管封在一個殼內了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個半橋可組成一個橋式整流電路，一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。工業級固態繼電器100%負載電流老化試驗，通過歐共體CE認證，國際ISO9000認證，國內3C認證。 通過選擇合適的可控硅模塊的重要技術參數，使設備管理更好地運行，延長網絡生命周期。

1.選擇正反向電壓

沒有柵極信號SCR模塊，控制電流Ig是零，陽極（A）之間由雌鳥（K）加長桿（J2）是反向偏置的一個，從而使設備高阻抗狀態，被稱為正向阻斷狀態，并且如果增加了UAK VBO達到一定值時，晶閘管被塊突然接通時，該值被稱為前向轉折電壓VBO，它是不導電的正常傳導，會縮短裝置的壽命。你一定要選擇足夠的阻擋直接重復峰值電壓（VDRM）。當陰極加上由一個陽極之一，和三個PN結（J1和J3）的設備之間的反向電壓是反向偏置，在一個關斷狀態。當增加反向電壓達到一定值VRB晶閘管反向阻斷突然進入導通狀態，此時是反向擊穿，該裝置可能會損壞。而VBO和VRB重復施加的電壓值變小。在電感負載，諸如磁分離裝置整流罩的情況下。當斷開時將產生一個高電壓（∈= -Ldi / dt）的，如果沒有在電路上良好的吸收電路，該電壓會損壞可控硅整流器模塊。因此，可控硅整流器模塊還必須具有足夠的反向電壓VRRM。

可控硅模塊在變流器（如電機車）中工作時，必須自己能夠以電源系統頻率進行重復地經受到了一定的過電壓而不影響其工作，所以正反向峰值電壓技術參數VDRM、VRRM應保證在正常生活使用不同電壓達到峰值的2-3倍以上，考慮到學生一些問題可能會導致出現的浪涌電壓環境因素，在選擇代用參數的時候,只能向高一檔的參數可以選取。

2.選擇額定工作人員進行電流可以通過參數

可控硅額定電壓電流，導通電流IT均勻地在一定經濟條件下，即，+ 40℃預定的冷卻技術條件，并且在這樣一個系統單相交流頻率的正弦半波阻性負載，在環境不同溫度下的導通角為不小于L70度。下在該電路中，當額定結溫穩定發展狀態可以均勻的電流沒有答應。通常通過轉換器需要同時提高工作，每個臂具有控制晶閘管不均勻導致流動的因素。在170℃在大多數企業情況下，可控硅不能導通角工作，這通常角少。晶閘管額定輸入電流的這種情況選擇我們必須是稍大，一般教師應為1.5?2.0倍的正常的均勻的電流值。

3.選擇關斷時間

陽極電流可以降低到0后，如果立即加正日出電壓，即使沒有柵極信號，也會重新導通，如果再發展加正日出電壓通過后，器件才能承受一定的工作時間的反向偏置電壓，不會造成誤導，說明SCR模塊關斷需要有一定的時間，恢復其阻斷技術能力。